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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDS86240
FDS86240 Image
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FDS86240 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS86240
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS86240
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 7.5A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS86240.pdf
RoHS Status
vorrätig: 24734

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Anzahl

Spezifikation

FDS86240 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS86240 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS86240

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.8mOhm @ 7.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2570 pF @ 75 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.5A (Ta)  
Grundproduktnummer FDS86  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS86240.

Produkteigenschaften FDS86240 FDS86242 FDS86267P FDS86141
Artikelnummer FDS86240 FDS86242 FDS86267P FDS86141
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 5W (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) 1W (Ta) 2.5W (Ta)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.5A (Ta) 4.1A (Ta) 2.2A (Ta) 7A (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2570 pF @ 75 V 760 pF @ 75 V 1130 pF @ 75 V 934 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 16.5 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 150 V 150 V 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.8mOhm @ 7.5A, 10V 67mOhm @ 4.1A, 10V 255mOhm @ 2.2A, 10V 23mOhm @ 7A, 10V
Grundproduktnummer FDS86 FDS86 FDS86267 FDS86
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FDS86240 Datenblatt PDF

Laden Sie FDS86240 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS86240 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Rev 20/Dec/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Datenblätter
FDS86240.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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