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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDS8876
FDS8876 Image
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FDS8876 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS8876
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS8876
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS8876.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4270

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Anzahl

Spezifikation

FDS8876 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS8876 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS8876

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 12.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1650 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12.5A (Ta)  
Grundproduktnummer FDS88  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS8876.

Produkteigenschaften FDS8876 FDS8876 FDS8874 FDS8878
Artikelnummer FDS8876 FDS8876 FDS8874 FDS8878
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12.5A (Ta) 12.5A (Ta) 16A (Ta) 10.2A (Ta)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1650 pF @ 15 V 1650 pF @ 15 V 3990 pF @ 15 V 897 pF @ 15 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer FDS88 - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 12.5A, 10V 8.2mOhm @ 12.5A, 10V 5.5mOhm @ 16A, 10V 14mOhm @ 10.2A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V

FDS8876 Datenblatt PDF

Laden Sie FDS8876 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS8876 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Sourcing Chg 21/Mar/2018.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 7/Jul/2021.pdf
Datenblätter
FDS8876.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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