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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDS89161
FDS89161 Image
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FDS89161 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS89161
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS89161
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS89161.pdf
RoHS Status
vorrätig: 61750

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Anzahl

Spezifikation

FDS89161 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS89161 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS89161

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2.7A, 10V  
Leistung - max 1.6W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 50V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.1nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.7A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDS89  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS89161.

Produkteigenschaften FDS89161 FDS8926A FDS8926A FDS8926
Artikelnummer FDS89161 FDS8926A FDS8926A FDS8926
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V 30V 30V -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.7A 5.5A 5.5A -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 50V 900pF @ 10V 900pF @ 10V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Leistung - max 1.6W 900mW 900mW -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.1nC @ 10V 28nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V -
Serie PowerTrench® - - *
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2.7A, 10V 30mOhm @ 5.5A, 4.5V 30mOhm @ 5.5A, 4.5V -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Grundproduktnummer FDS89 FDS89 FDS89 FDS89
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk

FDS89161 Datenblatt PDF

Laden Sie FDS89161 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS89161 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Rev 20/Dec/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Sourcing Chg 21/Mar/2018.pdf
Datenblätter
FDS89161.pdf

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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