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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDS8935
FDS8935 Image
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FDS8935 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS8935
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS8935
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS8935.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4280

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Anzahl

Spezifikation

FDS8935 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS8935 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS8935

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 183mOhm @ 2.1A, 10V  
Leistung - max 1.6W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 879pF @ 40V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.1A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDS89  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS8935.

Produkteigenschaften FDS8935 FDS8936A FDS8928A FDS8934A
Artikelnummer FDS8935 FDS8936A FDS8928A FDS8934A
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V 27nC @ 10V 28nC @ 4.5V 28nC @ 5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie PowerTrench® PowerTrench® - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 879pF @ 40V 650pF @ 15V 900pF @ 10V 1130pF @ 10V
Leistung - max 1.6W 900mW (Ta) 900mW 900mW
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V 30V 30V, 20V 20V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.1A 6A (Ta) 5.5A, 4A 4A
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 183mOhm @ 2.1A, 10V 28mOhm @ 6A, 10V 30mOhm @ 5.5A, 4.5V 55mOhm @ 4A, 4.5V
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
Grundproduktnummer FDS89 FDS89 FDS89 FDS89
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FDS8935 Datenblatt PDF

Laden Sie FDS8935 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS8935 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Rev 20/Dec/2018.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 24/Dec/2021.pdf Mult Dev EOL 14/Jan/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Korea Fab Site Add 3/Jan/2017.pdf
Datenblätter
FDS8935.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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FDS8935

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