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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDS8958
FDS8958 Image
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FDS8958 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS8958
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS8958
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS8958.pdf
vorrätig: 4980

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Anzahl

Spezifikation

FDS8958 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS8958 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS8958

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 7A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 789pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A, 5A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer FDS89  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS8958.

Produkteigenschaften FDS8958 FDS8947A FDS8949-F085 FDS8958A-F085
Artikelnummer FDS8958 FDS8947A FDS8949-F085 FDS8958A-F085
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Leistung - max 2W 900mW 2W 900mW
Serie PowerTrench® - Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Grundproduktnummer FDS89 FDS89 FDS89 FDS89
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V 27nC @ 10V 11nC @ 5V 16nC @ 10V
Konfiguration N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 40V 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 7A, 10V 52mOhm @ 4A, 10V 29mOhm @ 6A, 10V 28mOhm @ 7A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A, 5A 4A 6A 7A, 5A
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 789pF @ 10V 730pF @ 15V 955pF @ 20V 575pF @ 15V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC

FDS8958 Datenblatt PDF

Laden Sie FDS8958 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS8958 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FDS8958.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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