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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDS9958-F085
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FDS9958-F085 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS9958-F085
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS9958-F085
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS9958-F085.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4870

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Anzahl

Spezifikation

FDS9958-F085 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS9958-F085 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS9958-F085

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2.9A, 10V  
Leistung - max 900mW  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 30V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.9A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDS99  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS9958-F085.

Produkteigenschaften FDS9958-F085 FDS9958 FDS9953A FDS9953A
Artikelnummer FDS9958-F085 FDS9958 FDS9953A FDS9953A
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V 23nC @ 10V 3.5nC @ 10V 3.5nC @ 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.9A 2.9A 2.9A 2.9A
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60V 30V 30V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 30V 1020pF @ 30V 185pF @ 15V 185pF @ 15V
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leistung - max 900mW 900mW 900mW 900mW
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2.9A, 10V 105mOhm @ 2.9A, 10V 130mOhm @ 1A, 10V 130mOhm @ 1A, 10V
Grundproduktnummer FDS99 FDS99 FDS99 FDS99

FDS9958-F085 Datenblatt PDF

Laden Sie FDS9958-F085 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS9958-F085 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 14/Mar/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
PCN -Teilenummer
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 17/Aug/2020.pdf Mult Dev EOL 24/Jul/2019.pdf Reinstated 21/Feb/2020.pdf
Datenblätter
FDS9958-F085.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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