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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDT86256
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDT86256 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDT86256
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDT86256
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
FDT86256.pdf
RoHS Status
vorrätig: 72330

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Anzahl

Spezifikation

FDT86256 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDT86256 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDT86256

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-4  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 845mOhm @ 1.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 10W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 73 pF @ 75 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.2A (Ta), 3A (Tc)  
Grundproduktnummer FDT86  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDT86256.

Produkteigenschaften FDT86256 FDT86244 FDT86246L FDT55AN06LA0
Artikelnummer FDT86256 FDT86244 FDT86246L FDT55AN06LA0
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.2A (Ta), 3A (Tc) 2.8A (Tc) 2A (Ta) 12.1A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2 nC @ 10 V 7 nC @ 10 V 6.3 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 845mOhm @ 1.2A, 10V 128mOhm @ 2.8A, 10V 228mOhm @ 2A, 10V 46mOhm @ 11A, 10V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 10W (Tc) 2.2W (Ta) 1W (Ta) 8.9W (Tc)
Grundproduktnummer FDT86 FDT86 FDT86246 FDT55
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 150 V 150 V 60 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V 5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 73 pF @ 75 V 395 pF @ 75 V 335 pF @ 75 V 1130 pF @ 25 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

FDT86256 Datenblatt PDF

Laden Sie FDT86256 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDT86256 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Marking Change 07/Oct/2022.pdf Marking Change 17/Nov/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 30/May/2023.pdf
Datenblätter
FDT86256.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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