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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDU8580
onsemi
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FDU8580 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDU8580
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDU8580
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
FDD8580, FDU8580.pdf
vorrätig: 4380

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Anzahl

Spezifikation

FDU8580 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDU8580 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDU8580

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 35A, 10V  
Verlustleistung (max) 49.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1445 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc)  
Grundproduktnummer FDU85  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDU8580.

Produkteigenschaften FDU8580 FDU8580 FDU8780_F071 FDU8796
Artikelnummer FDU8580 FDU8580 FDU8780_F071 FDU8796
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Verlustleistung (max) 49.5W (Tc) 49.5W (Tc) 50W (Tc) 88W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Grundproduktnummer FDU85 - FDU87 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 35A, 10V 9mOhm @ 35A, 10V 8.5mOhm @ 35A, 10V 5.7mOhm @ 35A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1445 pF @ 10 V 1445 pF @ 10 V 1440 pF @ 13 V 2610 pF @ 13 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 25 V 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc) 35A (Tc) 35A (Tc) 35A (Tc)

FDU8580 Datenblatt PDF

Laden Sie FDU8580 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDU8580 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 03/Dec/2009.pdf
Datenblätter
FDD8580, FDU8580.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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