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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDU8874
onsemi
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FDU8874 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDU8874
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDU8874
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 18A/116A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
FDD8874, FDU8874.pdf
vorrätig: 4220

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Spezifikation

FDU8874 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDU8874 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDU8874

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1mOhm @ 35A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2990 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Ta), 116A (Tc)  
Grundproduktnummer FDU88  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDU8874.

Produkteigenschaften FDU8874 FDU8782 FDU8878 FDU8874
Artikelnummer FDU8874 FDU8782 FDU8878 FDU8874
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Supplier Device-Gehäuse I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer FDU88 FDU87 FDU88 -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 25 V 30 V 30 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 50W (Tc) 40W (Tc) 110W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Ta), 116A (Tc) 35A (Tc) 11A (Ta), 40A (Tc) 18A (Ta), 116A (Tc)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2990 pF @ 15 V 1220 pF @ 13 V 880 pF @ 15 V 2990 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1mOhm @ 35A, 10V 11mOhm @ 35A, 10V 15mOhm @ 35A, 10V 5.1mOhm @ 35A, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

FDU8874 Datenblatt PDF

Laden Sie FDU8874 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDU8874 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FDD8874, FDU8874.pdf

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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