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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDU8896
onsemi
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FDU8896 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDU8896
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDU8896
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 17A/94A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
FDD8896, FDU8896.pdf
vorrätig: 4640

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Spezifikation

FDU8896 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDU8896 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDU8896

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 35A, 10V  
Verlustleistung (max) 80W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2525 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Ta), 94A (Tc)  
Grundproduktnummer FDU88  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDU8896.

Produkteigenschaften FDU8896 FDU8882 FDU8880 FDU8880
Artikelnummer FDU8896 FDU8882 FDU8880 FDU8880
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Grundproduktnummer FDU88 - FDU88 -
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Ta), 94A (Tc) 12.6A (Ta), 55A (Tc) 13A (Ta), 58A (Tc) 13A (Ta), 58A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2525 pF @ 15 V 1260 pF @ 15 V 1260 pF @ 15 V 1260 pF @ 15 V
Verlustleistung (max) 80W (Tc) 55W (Tc) 55W (Tc) 55W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 35A, 10V 11.5mOhm @ 35A, 10V 10mOhm @ 35A, 10V 10mOhm @ 35A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®

FDU8896 Datenblatt PDF

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Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FDD8896, FDU8896.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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