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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDV302P
FDV302P Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDV302P - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDV302P
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDV302P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
FDV302P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3870

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Anzahl

Spezifikation

FDV302P Tech -Spezifikationen
onsemi - FDV302P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDV302P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) -8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 200mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 350mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.31 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120mA (Ta)  
Grundproduktnummer FDV30  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDV302P.

Produkteigenschaften FDV302P FDV303N FDV301N FDV304P
Artikelnummer FDV302P FDV303N FDV301N FDV304P
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Verlustleistung (max) 350mW (Ta) 350mW (Ta) 350mW (Ta) 350mW (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V 25 V 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grundproduktnummer FDV30 FDV303 FDV301 FDV304
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.31 nC @ 4.5 V 2.3 nC @ 4.5 V 0.7 nC @ 4.5 V 1.5 nC @ 4.5 V
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.06V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11 pF @ 10 V 50 pF @ 10 V 9.5 pF @ 10 V 63 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 200mA, 4.5V 450mOhm @ 500mA, 4.5V 4Ohm @ 400mA, 4.5V 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) -8V ±8V ±8V ±8V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V 2.7V, 4.5V 2.7V, 4.5V 2.7V, 4.5V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120mA (Ta) 680mA (Ta) 220mA (Ta) 460mA (Ta)
Serie - - - -
FET-Merkmal - - - -

FDV302P Datenblatt PDF

Laden Sie FDV302P PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDV302P - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices 27/Sep/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 12/Aug/2020.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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