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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDW2511NZ
FDW2511NZ Image
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FDW2511NZ - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDW2511NZ
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDW2511NZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 7.1A 8TSSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Datenblatt
FDW2511NZ.pdf
vorrätig: 3740

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Anzahl

Spezifikation

FDW2511NZ Tech -Spezifikationen
onsemi - FDW2511NZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDW2511NZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 7.1A, 4.5V  
Leistung - max 1.6W  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.3nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.1A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Grundproduktnummer FDW25  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDW2511NZ.

Produkteigenschaften FDW2511NZ FDW2508P FDW2512NZ FDW2508PB
Artikelnummer FDW2511NZ FDW2508P FDW2512NZ FDW2508PB
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Leistung - max 1.6W 1W 1.6W 1W
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.3nC @ 4.5V 36nC @ 4.5V 12nC @ 4.5V 45nC @ 4.5V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Grundproduktnummer FDW25 FDW25 FDW25 FDW25
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 10V 2644pF @ 6V 670pF @ 10V 3775pF @ 6V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 12V 20V 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 7.1A, 4.5V 18mOhm @ 6A, 4.5V 28mOhm @ 6A, 4.5V 18mOhm @ 6A, 4.5V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.1A 6A 6A 6A
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

FDW2511NZ Datenblatt PDF

Laden Sie FDW2511NZ PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDW2511NZ - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FDW2511NZ.pdf

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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