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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDY2001PZ
FDY2001PZ Image
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FDY2001PZ - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDY2001PZ
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDY2001PZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT-563F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
FDY2001PZ.pdf
vorrätig: 4440

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Anzahl

Spezifikation

FDY2001PZ Tech -Spezifikationen
onsemi - FDY2001PZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDY2001PZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-563F  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 150mA, 4.5V  
Leistung - max 446mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 100pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 150mA  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDY20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDY2001PZ.

Produkteigenschaften FDY2001PZ FDY2000PZ FDY3000NZ FDY2000PZ
Artikelnummer FDY2001PZ FDY2000PZ FDY3000NZ FDY2000PZ
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 100pF @ 10V 100pF @ 10V 60pF @ 10V 100pF @ 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse SOT-563F SOT-563F SOT-563F SOT-563F
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 150mA, 4.5V 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V 700mOhm @ 600mA, 4.5V 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Leistung - max 446mW 446mW 446mW 446mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V 1.4nC @ 4.5V 1.1nC @ 4.5V 1.4nC @ 4.5V
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer FDY20 FDY20 FDY3000 FDY20
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 150mA 350mA 600mA 350mA
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.3V @ 250µA 1.5V @ 250µA

FDY2001PZ Datenblatt PDF

Laden Sie FDY2001PZ PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDY2001PZ - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mold Compound 20/Aug/2008.pdf
Datenblätter
FDY2001PZ.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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