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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDZ191P
FDZ191P Image
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FDZ191P - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDZ191P
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDZ191P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-UFBGA, WLCSP
Datenblatt
FDZ191P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3690

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Anzahl

Spezifikation

FDZ191P Tech -Spezifikationen
onsemi - FDZ191P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDZ191P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-WLCSP (1x1.5)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 1A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.9W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-UFBGA, WLCSP  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta)  
Grundproduktnummer FDZ191  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDZ191P.

Produkteigenschaften FDZ191P FDZ193P FDZ202P FDZ202P
Artikelnummer FDZ191P FDZ193P FDZ202P FDZ202P
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 10 V 660 pF @ 10 V 884 pF @ 10 V 884 pF @ 10 V
Verpackung / Gehäuse 6-UFBGA, WLCSP 6-UFBGA, WLCSP 12-WFBGA 12-WFBGA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Supplier Device-Gehäuse 6-WLCSP (1x1.5) 6-WLCSP (1x1.5) 12-BGA (2x2.5) 12-BGA (2x2.5)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta) 3A (Ta) 5.5A (Ta) 5.5A (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 1.7V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Grundproduktnummer FDZ191 - FDZ20 -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 13 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 1A, 4.5V 90mOhm @ 1A, 4.5V 45mOhm @ 5.5A, 4.5V 45mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (Max) ±8V ±12V ±12V ±12V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 1.9W (Ta) 1.9W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)

FDZ191P Datenblatt PDF

Laden Sie FDZ191P PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDZ191P - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Mult Dev EOL 21/Dec/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab 02/Aug/2020.pdf
Datenblätter
FDZ191P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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