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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-EinzelFGA6560WDF
onsemi
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FGA6560WDF - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FGA6560WDF
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FGA6560WDF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
FGA6560WDF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 13431

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Anzahl

Spezifikation

FGA6560WDF Tech -Spezifikationen
onsemi - FGA6560WDF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FGA6560WDF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 60A  
Testbedingung 400V, 60A, 6Ohm, 15V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 25.6ns/71ns  
Schaltenergie 2.46mJ (on), 520µJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 110 ns  
Leistung - max 306 W  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ Trench Field Stop  
Gate-Ladung 84 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 180 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 120 A  
Grundproduktnummer FGA6560  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FGA6560WDF.

Produkteigenschaften FGA6560WDF FGA60N65SMD FGA90N33ATTU FGA6065ADF
Artikelnummer FGA6560WDF FGA60N65SMD FGA90N33ATTU FGA6065ADF
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Leistung - max 306 W 600 W 223 W 306 W
Schaltenergie 2.46mJ (on), 520µJ (off) 1.54mJ (on), 450µJ (off) - 2.46mJ (on), 520µJ (off)
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 60A 2.5V @ 15V, 60A 1.4V @ 15V, 20A 2.3V @ 15V, 60A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 120 A 120 A 90 A 120 A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 180 A 180 A 330 A 180 A
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
Grundproduktnummer FGA6560 FGA60N65 FGA90 FGA6065
Gate-Ladung 84 nC 189 nC 95 nC 84 nC
Serie - - - -
IGBT-Typ Trench Field Stop Field Stop Trench Trench Field Stop
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 110 ns 47 ns - 110 ns
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650 V 650 V 330 V 650 V
Testbedingung 400V, 60A, 6Ohm, 15V 400V, 60A, 3Ohm, 15V - 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Td (ein / aus) bei 25 ° C 25.6ns/71ns 18ns/104ns - 25.6ns/71ns
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN TO-3P TO-3P TO-3PN

FGA6560WDF Datenblatt PDF

Laden Sie FGA6560WDF PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FGA6560WDF - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mold compound change 17/Sep/2019.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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