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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-EinzelFGB5N60UNDF
FGB5N60UNDF Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FGB5N60UNDF - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FGB5N60UNDF
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FGB5N60UNDF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT NPT 600V 10A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
FGB5N60UNDF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4250

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Anzahl

Spezifikation

FGB5N60UNDF Tech -Spezifikationen
onsemi - FGB5N60UNDF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FGB5N60UNDF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 5A  
Testbedingung 400V, 5A, 10Ohm, 15V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 5.4ns/25.4ns  
Schaltenergie 80µJ (on), 70µJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 35 ns  
Leistung - max 73.5 W  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ NPT  
Gate-Ladung 12.1 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 15 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 10 A  
Grundproduktnummer FGB5N60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FGB5N60UNDF.

Produkteigenschaften FGB5N60UNDF FGB40N60SM FGB30N6S2D FGB40N60SM
Artikelnummer FGB5N60UNDF FGB40N60SM FGB30N6S2D FGB40N60SM
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 35 ns - 46 ns -
Grundproduktnummer FGB5N60 - FGB3 FGB40N60
IGBT-Typ NPT Field Stop - Field Stop
Gate-Ladung 12.1 nC 119 nC 23 nC 119 nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 5.4ns/25.4ns 12ns/92ns 6ns/40ns 12ns/92ns
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 5A 2.3V @ 15V, 40A 2.5V @ 15V, 12A 2.3V @ 15V, 40A
Schaltenergie 80µJ (on), 70µJ (off) 870µJ (on), 260µJ (off) 55µJ (on), 100µJ (off) 870µJ (on), 260µJ (off)
Paket Tube Bulk Tube Tape & Reel (TR)
Leistung - max 73.5 W 349 W 167 W 349 W
Strom - Collector Pulsed (Icm) 15 A 120 A 108 A 120 A
Testbedingung 400V, 5A, 10Ohm, 15V 400V, 40A, 6Ohm, 15V 390V, 12A, 10Ohm, 15V 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V 600 V 600 V 600 V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Serie - - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 10 A 80 A 45 A 80 A
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

FGB5N60UNDF Datenblatt PDF

Laden Sie FGB5N60UNDF PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FGB5N60UNDF - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf TO263 31/Aug/2016.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 29/Jan/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly/Material Chgs 15/Mar/2018.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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