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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-EinzelFGD3N60LSDTM
FGD3N60LSDTM Image
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FGD3N60LSDTM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FGD3N60LSDTM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FGD3N60LSDTM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT 600V 6A 40W DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FGD3N60LSD.pdf
RoHS Status
vorrätig: 60270

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Anzahl

Spezifikation

FGD3N60LSDTM Tech -Spezifikationen
onsemi - FGD3N60LSDTM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FGD3N60LSDTM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 10V, 3A  
Testbedingung 480V, 3A, 470Ohm, 10V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 40ns/600ns  
Schaltenergie 250µJ (on), 1mJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 234 ns  
Leistung - max 40 W  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ -  
Gate-Ladung 12.5 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 25 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 6 A  
Grundproduktnummer FGD3N60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FGD3N60LSDTM.

Produkteigenschaften FGD3N60LSDTM FGD4536TM FGD5T120SH FGD3N60UNDF
Artikelnummer FGD3N60LSDTM FGD4536TM FGD5T120SH FGD3N60UNDF
Hersteller onsemi AMI Semiconductor / ON Semiconductor onsemi onsemi
Gate-Ladung 12.5 nC 47nC 6.7 nC 1.6 nC
Testbedingung 480V, 3A, 470Ohm, 10V - 600V, 5A, 30Ohm, 15V 400V, 3A, 10Ohm, 15V
Strom - Collector Pulsed (Icm) 25 A 220A 12.5 A 9 A
Betriebstemperatur - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252AA
Schaltenergie 250µJ (on), 1mJ (off) - 247µJ (on), 94µJ (off) 52µJ (on), 30µJ (off)
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
Grundproduktnummer FGD3N60 - FGD5T120 FGD3N60
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 10V, 3A 1.8V @ 15V, 50A 3.6V @ 15V, 5A 2.52V @ 15V, 3A
IGBT-Typ - Trench Trench Field Stop NPT
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Td (ein / aus) bei 25 ° C 40ns/600ns - 4.8ns/24.8ns 5.5ns/22ns
Serie - - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V 360V 1200 V 600 V
Leistung - max 40 W 125W 69 W 60 W
Paket Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 6 A - 10 A 6 A
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 234 ns - - 21 ns

FGD3N60LSDTM Datenblatt PDF

Laden Sie FGD3N60LSDTM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FGD3N60LSDTM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 05/Apr/2023.pdf
Datenblätter
FGD3N60LSD.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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