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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-EinzelFGH40T120SMD-F155
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FGH40T120SMD-F155 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FGH40T120SMD-F155
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FGH40T120SMD-F155
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT 1200V 80A 555W TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
FGH40T120SMD(F155).pdf
RoHS Status
vorrätig: 8560

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Anzahl

Spezifikation

FGH40T120SMD-F155 Tech -Spezifikationen
onsemi - FGH40T120SMD-F155 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FGH40T120SMD-F155

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A  
Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 40ns/475ns  
Schaltenergie 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 65 ns  
Leistung - max 555 W  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ Trench Field Stop  
Gate-Ladung 370 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 160 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 80 A  
Grundproduktnummer FGH40  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FGH40T120SMD-F155.

Produkteigenschaften FGH40T120SMD-F155 FGH40N6S2 FGH40N6S2D FGH40T100SMD
Artikelnummer FGH40T120SMD-F155 FGH40N6S2 FGH40N6S2D FGH40T100SMD
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Strom - Collector Pulsed (Icm) 160 A 180 A 180 A 120 A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 80 A 75 A 75 A 80 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V 600 V 600 V 1000 V
Serie - - - -
Td (ein / aus) bei 25 ° C 40ns/475ns 8ns/35ns 8ns/35ns 29ns/285ns
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Schaltenergie 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) 115µJ (on), 195µJ (off) 115µJ (on), 195µJ (off) 2.35mJ (on), 1.15mJ (off)
Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V 390V, 20A, 3Ohm, 15V 390V, 20A, 3Ohm, 15V 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
Gate-Ladung 370 nC 35 nC 35 nC 265 nC
Grundproduktnummer FGH40 FGH40 FGH40 FGH40
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 65 ns - 48 ns 78 ns
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Leistung - max 555 W 290 W 290 W 333 W
Paket Tube Tube Tube Tube
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A 2.7V @ 15V, 20A 2.7V @ 15V, 20A 2.3V @ 15V, 40A
IGBT-Typ Trench Field Stop - - Trench Field Stop
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

FGH40T120SMD-F155 Datenblatt PDF

Laden Sie FGH40T120SMD-F155 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FGH40T120SMD-F155 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Teilenummer
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf FGH40T120SMD DS 17/Jun/2021.pdf
Datenblätter
FGH40T120SMD(F155).pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Change 08/Oct/2020.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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