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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedFJV4109RMTF
FJV4109RMTF Image
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FJV4109RMTF - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FJV4109RMTF
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FJV4109RMTF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
FJV4109R.pdf
vorrätig: 5360

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Anzahl

Spezifikation

FJV4109RMTF Tech -Spezifikationen
onsemi - FJV4109RMTF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FJV4109RMTF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie -  
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 200 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer FJV410  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FJV4109RMTF.

Produkteigenschaften FJV4109RMTF FJV4111RMTF FJV4110RMTF FJV4104RMTF
Artikelnummer FJV4109RMTF FJV4111RMTF FJV4110RMTF FJV4104RMTF
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Frequenz - Übergang 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA 300mV @ 1mA, 10mA 300mV @ 1mA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
Grundproduktnummer FJV410 FJV411 FJV411 FJV410
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Leistung - max 200 mW 200 mW 200 mW 200 mW
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms 22 kOhms 10 kOhms 47 kOhms
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40 V 40 V 40 V 50 V
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V 100 @ 1mA, 5V 100 @ 1mA, 5V 68 @ 5mA, 5V
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk

FJV4109RMTF Datenblatt PDF

Laden Sie FJV4109RMTF PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FJV4109RMTF - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
Datenblätter
FJV4109R.pdf

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Lieferzeit

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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