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ZuhauseProdukteIsolatorenOptoisolatoren-Transistor, Photovoltaik-AusgangFOD817C
FOD817C Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FOD817C - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FOD817C
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FOD817C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 4DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-DIP (0.300', 7.62mm)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
Cylindrical Battery Holders.pdf
RoHS Status
vorrätig: 475550

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Anzahl

Spezifikation

FOD817C Tech -Spezifikationen
onsemi - FOD817C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FOD817C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Ausgabe (max) 70V  
Spannung - Isolation 5000Vrms  
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.2V  
VCE Sätttigung (max) 200mV  
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) -  
Supplier Device-Gehäuse 4-DIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 4µs, 3µs  
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.300', 7.62mm)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Ausgabetyp Transistor  
Betriebstemperatur -55°C ~ 110°C  
Anzahl der Kanäle 1  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp DC  
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 200% @ 5mA  
Stromübertragungsverhältnis (max) 400% @ 5mA  
Strom - Ausgang / Kanal 50mA  
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 50 mA  
Grundproduktnummer FOD817  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FOD817C.

Produkteigenschaften FOD817C FOD817CSD FOD817B300W FOD817C
Artikelnummer FOD817C FOD817CSD FOD817B300W FOD817C
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 4µs, 3µs 4µs, 3µs 4µs, 3µs 4µs, 3µs
Serie - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 110°C -55°C ~ 110°C -55°C ~ 110°C -55°C ~ 110°C
Supplier Device-Gehäuse 4-DIP 4-SMD 4-DIP 4-DIP
Spannung - Isolation 5000Vrms 5000Vrms 5000Vrms 5000Vrms
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Spannung - Ausgabe (max) 70V 70V 70V 70V
VCE Sätttigung (max) 200mV 200mV 200mV 200mV
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.300', 7.62mm) 4-SMD, Gull Wing 4-DIP (0.400", 10.16mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Eingabetyp DC DC DC DC
Ausgabetyp Transistor Transistor Transistor Transistor
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 200% @ 5mA 200% @ 5mA 130% @ 5mA 200% @ 5mA
Grundproduktnummer FOD817 FOD817 FOD817 -
Stromübertragungsverhältnis (max) 400% @ 5mA 400% @ 5mA 260% @ 5mA 400% @ 5mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.2V 1.2V 1.2V 1.2V
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - - - -
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Anzahl der Kanäle 1 1 1 1
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 50 mA 50 mA 50 mA 50 mA
Strom - Ausgang / Kanal 50mA 50mA 50mA 50mA

FOD817C Datenblatt PDF

Laden Sie FOD817C PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FOD817C - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf onsemi REACH.pdf Material Declaration FOD817C.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Mult Changes 11/Aug/2021.pdf
PCN -Verpackung
2.73KHz.pdf
Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
2.73KHz.pdf
HTML -Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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