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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQA34N25
FQA34N25 Image
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FQA34N25 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQA34N25
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQA34N25
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 34A TO3P
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
FQA34N25.pdf
vorrätig: 3630

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Anzahl

Spezifikation

FQA34N25 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQA34N25 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQA34N25

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3P  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 17A, 10V  
Verlustleistung (max) 245W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2750 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 34A (Tc)  
Grundproduktnummer FQA3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQA34N25.

Produkteigenschaften FQA34N25 FQA38N30 FQA32N20C FQA33N10L
Artikelnummer FQA34N25 FQA38N30 FQA32N20C FQA33N10L
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
FET-Merkmal - - - -
Serie - QFET® QFET® QFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 300 V 200 V 100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 34A (Tc) 38.4A (Tc) 32A (Tc) 36A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2750 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V 2220 pF @ 25 V 1630 pF @ 25 V
Paket Tube Bulk Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-3P TO-3P TO-3PN TO-3P
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 5V, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 40 nC @ 5 V
Grundproduktnummer FQA3 FQA3 FQA32 FQA3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 17A, 10V 85mOhm @ 19.2A, 10V 82mOhm @ 16A, 10V 52mOhm @ 18A, 10V
Verlustleistung (max) 245W (Tc) 290W (Tc) 204W (Tc) 163W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

FQA34N25 Datenblatt PDF

Laden Sie FQA34N25 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQA34N25 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQA34N25.pdf

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Lieferzeit

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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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FQA34N25

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32D-FQA34N25

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