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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQA7N80C
FQA7N80C Image
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FQA7N80C - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQA7N80C
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQA7N80C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 7A TO3P
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
FQA7N80C.pdf
vorrätig: 4970

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Anzahl

Spezifikation

FQA7N80C Tech -Spezifikationen
onsemi - FQA7N80C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQA7N80C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3P  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9Ohm @ 3.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 198W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc)  
Grundproduktnummer FQA7  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQA7N80C.

Produkteigenschaften FQA7N80C FQA7N80 FQA70N15 FQA7N80C
Artikelnummer FQA7N80C FQA7N80 FQA70N15 FQA7N80C
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9Ohm @ 3.5A, 10V 1.5Ohm @ 3.6A, 10V 28mOhm @ 35A, 10V 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-3P TO-3P TO-3PN TO-3P
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 175 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc) 7.2A (Tc) 70A (Tc) 7A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 25 V 1850 pF @ 25 V 5400 pF @ 25 V 1680 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Paket Tube Tube Bulk Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 198W (Tc) 198W (Tc) 330W (Tc) 198W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 800 V 150 V 800 V
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±30V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer FQA7 - - -

FQA7N80C Datenblatt PDF

Laden Sie FQA7N80C PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQA7N80C - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQA7N80C.pdf

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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