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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQA90N15
FQA90N15 Image
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FQA90N15 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQA90N15
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQA90N15
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 90A TO3PN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
FQA90N15.pdf
RoHS Status
vorrätig: 10193

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Anzahl

Spezifikation

FQA90N15 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQA90N15 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQA90N15

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 45A, 10V  
Verlustleistung (max) 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 285 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)  
Grundproduktnummer FQA90  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQA90N15.

Produkteigenschaften FQA90N15 FQA8N90C FQAF10N80 FQA90N10V2
Artikelnummer FQA90N15 FQA8N90C FQAF10N80 FQA90N10V2
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 900 V 800 V 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 285 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V 191 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±30V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc) 8A (Tc) 6.7A (Tc) 105A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8700 pF @ 25 V 2080 pF @ 25 V 2700 pF @ 25 V 6150 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3, SC-65-3
Verlustleistung (max) 375W (Tc) 240W (Tc) 113W (Tc) 330W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer FQA90 FQA8 - FQA9
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 45A, 10V 1.9Ohm @ 4A, 10V 1.05Ohm @ 3.35A, 10V 10mOhm @ 52.5A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN TO-3P TO-3PF TO-3P

FQA90N15 Datenblatt PDF

Laden Sie FQA90N15 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQA90N15 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Datenblätter
FQA90N15.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev EMC Chg 15/Apr/2020.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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