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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQB6N25TM
FQB6N25TM Image
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FQB6N25TM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQB6N25TM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQB6N25TM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 5.5A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
FQB6N25, FQI6N25.pdf
vorrätig: 4170

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Anzahl

Spezifikation

FQB6N25TM Tech -Spezifikationen
onsemi - FQB6N25TM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQB6N25TM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 2.75A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 63W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc)  
Grundproduktnummer FQB6  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQB6N25TM.

Produkteigenschaften FQB6N25TM FQB65N06TM FQB6N60CTM FQB6N60TM
Artikelnummer FQB6N25TM FQB65N06TM FQB6N60CTM FQB6N60TM
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 60 V 600 V 600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc) 65A (Tc) 5.5A (Tc) 6.2A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer FQB6 - FQB6 FQB6
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V 2410 pF @ 25 V 810 pF @ 25 V 1000 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 2.75A, 10V 16mOhm @ 32.5A, 10V 2Ohm @ 2.75A, 10V 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 63W (Tc) 3.75W (Ta), 150W (Tc) 125W (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±30V

FQB6N25TM Datenblatt PDF

Laden Sie FQB6N25TM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQB6N25TM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQB6N25, FQI6N25.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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