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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQD12N20TM
FQD12N20TM Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FQD12N20TM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQD12N20TM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQD12N20TM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FQD12N20, FQU12N20.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3980

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Anzahl

Spezifikation

FQD12N20TM Tech -Spezifikationen
onsemi - FQD12N20TM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQD12N20TM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 4.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 55W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 910 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc)  
Grundproduktnummer FQD12N20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQD12N20TM.

Produkteigenschaften FQD12N20TM FQD12P10TF FQD12N20TM FQD12P10TM
Artikelnummer FQD12N20TM FQD12P10TF FQD12N20TM FQD12P10TM
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 4.5A, 10V 290mOhm @ 4.7A, 10V 280mOhm @ 4.5A, 10V 290mOhm @ 4.7A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 55W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 910 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 910 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc) 9.4A (Tc) 9A (Tc) 9.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 100 V 200 V 100 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer FQD12N20 FQD1 - -

FQD12N20TM Datenblatt PDF

Laden Sie FQD12N20TM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQD12N20TM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 13/Aug/2020.pdf
Datenblätter
FQD12N20, FQU12N20.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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