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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQD17N08LTM
FQD17N08LTM Image
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FQD17N08LTM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQD17N08LTM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQD17N08LTM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FQD17N08L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4290

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Anzahl

Spezifikation

FQD17N08LTM Tech -Spezifikationen
onsemi - FQD17N08LTM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQD17N08LTM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 6.45A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.5 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12.9A (Tc)  
Grundproduktnummer FQD17N08  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQD17N08LTM.

Produkteigenschaften FQD17N08LTM FQD16N15TM FQD17N08LTF FQD17P06TM
Artikelnummer FQD17N08LTM FQD16N15TM FQD17N08LTF FQD17P06TM
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12.9A (Tc) 11.8A (Tc) 12.9A (Tc) 12A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.5 nC @ 5 V 30 nC @ 10 V 11.5 nC @ 5 V 27 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520 pF @ 25 V 910 pF @ 25 V 520 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 150 V 80 V 60 V
Supplier Device-Gehäuse D-Pak TO-252AA TO-252-3 (DPAK) TO-252AA
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 40W (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 6.45A, 10V 160mOhm @ 5.9A, 10V 100mOhm @ 6.45A, 10V 135mOhm @ 6A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V 5V, 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Grundproduktnummer FQD17N08 FQD1 - FQD17P06

FQD17N08LTM Datenblatt PDF

Laden Sie FQD17N08LTM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQD17N08LTM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 13/Aug/2020.pdf
Datenblätter
FQD17N08L.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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