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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQD20N06TM
FQD20N06TM Image
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FQD20N06TM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQD20N06TM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQD20N06TM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FQD20N06.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5090

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Anzahl

Spezifikation

FQD20N06TM Tech -Spezifikationen
onsemi - FQD20N06TM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQD20N06TM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 8.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 38W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 590 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16.8A (Tc)  
Grundproduktnummer FQD20N06  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQD20N06TM.

Produkteigenschaften FQD20N06TM FQD20N06LETM FQD20N06TF FQD20N06TM
Artikelnummer FQD20N06TM FQD20N06LETM FQD20N06TF FQD20N06TM
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 38W (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 8.4A, 10V 60mOhm @ 8.6A, 10V 63mOhm @ 8.4A, 10V 63mOhm @ 8.4A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 590 pF @ 25 V 665 pF @ 25 V 590 pF @ 25 V 590 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V, 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 13 nC @ 5 V 15 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±25V ±20V ±25V ±25V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer FQD20N06 FQD2 - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16.8A (Tc) 17.2A (Tc) 16.8A (Tc) 16.8A (Tc)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®

FQD20N06TM Datenblatt PDF

Laden Sie FQD20N06TM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQD20N06TM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Parts obs 30/Jun/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 13/Aug/2020.pdf
Datenblätter
FQD20N06.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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