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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQD3N30TF
FQD3N30TF Image
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FQD3N30TF - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQD3N30TF
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQD3N30TF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FQD, FQU3N30.pdf
vorrätig: 5190

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Anzahl

Spezifikation

FQD3N30TF Tech -Spezifikationen
onsemi - FQD3N30TF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQD3N30TF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 1.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.4A (Tc)  
Grundproduktnummer FQD3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQD3N30TF.

Produkteigenschaften FQD3N30TF FQD3N40TM FQD3N30TF FQD3N50CTF
Artikelnummer FQD3N30TF FQD3N40TM FQD3N30TF FQD3N50CTF
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 1.2A, 10V 3.4Ohm @ 1A, 10V 2.2Ohm @ 1.2A, 10V 2.5Ohm @ 1.25A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Grundproduktnummer FQD3 - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 35W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V 400 V 300 V 500 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.4A (Tc) 2A (Tc) 2.4A (Tc) 2.5A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V 365 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V 7.5 nC @ 10 V 7 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®

FQD3N30TF Datenblatt PDF

Laden Sie FQD3N30TF PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQD3N30TF - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQD, FQU3N30.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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