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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQD4N50TF
FQD4N50TF Image
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FQD4N50TF - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQD4N50TF
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQD4N50TF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FQD4N50, FQU4N50.pdf
vorrätig: 4880

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Anzahl

Spezifikation

FQD4N50TF Tech -Spezifikationen
onsemi - FQD4N50TF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQD4N50TF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 1.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.6A (Tc)  
Grundproduktnummer FQD4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQD4N50TF.

Produkteigenschaften FQD4N50TF FQD4N25TM FQD4N50TM FQD4N50TF
Artikelnummer FQD4N50TF FQD4N25TM FQD4N50TM FQD4N50TF
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 460 pF @ 25 V 460 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 1.3A, 10V 1.75Ohm @ 1.5A, 10V 2.7Ohm @ 1.3A, 10V 2.7Ohm @ 1.3A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer FQD4 - FQD4 -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 250 V 500 V 500 V
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252, (D-Pak)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.6A (Tc) 3A (Tc) 2.6A (Tc) 2.6A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 5.6 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk

FQD4N50TF Datenblatt PDF

Laden Sie FQD4N50TF PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQD4N50TF - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQD4N50, FQU4N50.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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