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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQD7N20LTF
FQD7N20LTF Image
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FQD7N20LTF - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQD7N20LTF
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQD7N20LTF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FQD7N20L, FQU7N20L.pdf
vorrätig: 3760

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Anzahl

Spezifikation

FQD7N20LTF Tech -Spezifikationen
onsemi - FQD7N20LTF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQD7N20LTF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 2.75A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc)  
Grundproduktnummer FQD7  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQD7N20LTF.

Produkteigenschaften FQD7N20LTF FQD7N20TF FQD7N30TF FQD7N20LTM
Artikelnummer FQD7N20LTF FQD7N20TF FQD7N30TF FQD7N20LTM
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 5 V 10 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 9 nC @ 5 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Grundproduktnummer FQD7 FQD7 FQD7 FQD7N20
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 2.75A, 10V 690mOhm @ 2.65A, 10V 700mOhm @ 2.75A, 10V 750mOhm @ 2.75A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc) 5.3A (Tc) 5.5A (Tc) 5.5A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 610 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 200 V 300 V 200 V
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V 10V 5V, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

FQD7N20LTF Datenblatt PDF

Laden Sie FQD7N20LTF PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQD7N20LTF - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQD7N20L, FQU7N20L.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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