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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQP14N15
FQP14N15 Image
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FQP14N15 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQP14N15
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQP14N15
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 14.4A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP14N15.pdf
vorrätig: 4320

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Anzahl

Spezifikation

FQP14N15 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQP14N15 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQP14N15

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210mOhm @ 7.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 104W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 715 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14.4A (Tc)  
Grundproduktnummer FQP1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQP14N15.

Produkteigenschaften FQP14N15 FQP15P12 FQP13N10L FQP13N50C
Artikelnummer FQP14N15 FQP15P12 FQP13N10L FQP13N50C
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14.4A (Tc) 15A (Tc) 12.8A (Tc) 13A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 104W (Tc) 100W (Tc) 65W (Tc) 195W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer FQP1 FQP15 FQP13 FQP13
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 120 V 100 V 500 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 5V, 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 715 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 520 pF @ 25 V 2055 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210mOhm @ 7.2A, 10V 200mOhm @ 7.5A, 10V 180mOhm @ 6.4A, 10V 480mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (Max) ±25V ±30V ±20V ±30V
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 12 nC @ 5 V 56 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Tube Tube

FQP14N15 Datenblatt PDF

Laden Sie FQP14N15 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQP14N15 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP14N15.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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