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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQP4P40
FQP4P40 Image
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FQP4P40 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQP4P40
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQP4P40
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 400V 3.5A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP4P40.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5010

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Anzahl

Spezifikation

FQP4P40 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQP4P40 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQP4P40

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1Ohm @ 1.75A, 10V  
Verlustleistung (max) 85W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Tc)  
Grundproduktnummer FQP4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQP4P40.

Produkteigenschaften FQP4P40 FQP4N90 FQP4N90 FQP55N06
Artikelnummer FQP4P40 FQP4N90 FQP4N90 FQP55N06
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 85W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc) 133W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Tc) 4.2A (Tc) 4.2A (Tc) 55A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Grundproduktnummer FQP4 FQP4 - FQP5
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V 900 V 900 V 60 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Paket Tube Bulk Bulk Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1Ohm @ 1.75A, 10V 3.3Ohm @ 2.1A, 10V 3.3Ohm @ 2.1A, 10V 20mOhm @ 27.5A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±25V

FQP4P40 Datenblatt PDF

Laden Sie FQP4P40 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQP4P40 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP4P40.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
MFG Site Addition 09/Mar/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf

Lieferung

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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