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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQP7N20
FQP7N20 Image
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FQP7N20 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQP7N20
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQP7N20
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 6.6A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP7N20.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5430

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Anzahl

Spezifikation

FQP7N20 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQP7N20 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQP7N20

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 3.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 63W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.6A (Tc)  
Grundproduktnummer FQP7  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQP7N20.

Produkteigenschaften FQP7N20 FQP7N60 FQP7N80 FQP70N08
Artikelnummer FQP7N20 FQP7N60 FQP7N80 FQP70N08
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 3.3A, 10V 1Ohm @ 3.7A, 10V 1.5Ohm @ 3.3A, 10V 17mOhm @ 35A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 63W (Tc) 142W (Tc) 167W (Tc) 155W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.6A (Tc) 7.4A (Tc) 6.6A (Tc) 70A (Tc)
Grundproduktnummer FQP7 FQP7 - FQP7
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 1430 pF @ 25 V 1850 pF @ 25 V 2700 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 600 V 800 V 80 V

FQP7N20 Datenblatt PDF

Laden Sie FQP7N20 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQP7N20 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP7N20.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
MFG Site Addition 09/Mar/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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