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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQP7P06
FQP7P06 Image
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FQP7P06 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQP7P06
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQP7P06
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 7A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP7P06.pdf
RoHS Status
vorrätig: 42674

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Anzahl

Spezifikation

FQP7P06 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQP7P06 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQP7P06

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 410mOhm @ 3.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 45W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 295 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc)  
Grundproduktnummer FQP7  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQP7P06.

Produkteigenschaften FQP7P06 FQP85N06 FQP7N80C FQP85N06
Artikelnummer FQP7P06 FQP85N06 FQP7N80C FQP85N06
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 295 pF @ 25 V 4120 pF @ 25 V 1680 pF @ 25 V 4120 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Paket Tube Tube Tube Bulk
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc) 85A (Tc) 6.6A (Tc) 85A (Tc)
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 800 V 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V 112 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 112 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 45W (Tc) 160W (Tc) 167W (Tc) 160W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 410mOhm @ 3.5A, 10V 10mOhm @ 42.5A, 10V 1.9Ohm @ 3.3A, 10V 10mOhm @ 42.5A, 10V
Grundproduktnummer FQP7 FQP85 FQP7 -
Vgs (Max) ±25V ±25V ±30V ±25V

FQP7P06 Datenblatt PDF

Laden Sie FQP7P06 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQP7P06 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP7P06.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
MFG Site Addition 09/Mar/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Parts obs 30/Jun/2022.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-FQP7P06

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