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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQP9N25C
FQP9N25C Image
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FQP9N25C - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQP9N25C
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQP9N25C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP9N25C, FQPF9N25C.pdf
vorrätig: 4950

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Anzahl

Spezifikation

FQP9N25C Tech -Spezifikationen
onsemi - FQP9N25C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQP9N25C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430mOhm @ 4.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 74W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 710 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.8A (Tc)  
Grundproduktnummer FQP9  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQP9N25C.

Produkteigenschaften FQP9N25C FQP9N90C FQP9N90C FQP9N50C
Artikelnummer FQP9N25C FQP9N90C FQP9N90C FQP9N50C
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Tube Bulk Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.8A (Tc) 8A (Tc) 8A (Tc) 9A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Verlustleistung (max) 74W (Tc) 205W (Tc) 205W (Tc) 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430mOhm @ 4.4A, 10V 1.4Ohm @ 4A, 10V 1.4Ohm @ 4A, 10V 800mOhm @ 4.5A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 900 V 900 V 500 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Grundproduktnummer FQP9 FQP9 - FQP9
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 710 pF @ 25 V 2730 pF @ 25 V 2730 pF @ 25 V 1030 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FQP9N25C Datenblatt PDF

Laden Sie FQP9N25C PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQP9N25C - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP9N25C, FQPF9N25C.pdf

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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