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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF11P06
FQPF11P06 Image
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FQPF11P06 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQPF11P06
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF11P06
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 8.6A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQPF11P06.pdf
RoHS Status
vorrätig: 45040

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Anzahl

Spezifikation

FQPF11P06 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQPF11P06 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQPF11P06

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 4.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.6A (Tc)  
Grundproduktnummer FQPF11  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQPF11P06.

Produkteigenschaften FQPF11P06 FQPF12N60 FQPF11P06 FQPF11N50CF
Artikelnummer FQPF11P06 FQPF12N60 FQPF11P06 FQPF11N50CF
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 600 V 60 V 500 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 550 pF @ 25 V 2055 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.6A (Tc) 5.8A (Tc) 8.6A (Tc) 11A (Tc)
Serie QFET® QFET® QFET® FRFET®
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 30W (Tc) 55W (Tc) 30W (Tc) 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 4.3A, 10V 700mOhm @ 2.9A, 10V 175mOhm @ 4.3A, 10V 550mOhm @ 5.5A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer FQPF11 - - FQPF11
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Bulk Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FQPF11P06 Datenblatt PDF

Laden Sie FQPF11P06 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQPF11P06 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Datenblätter
FQPF11P06.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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