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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF13N06L
FQPF13N06L Image
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FQPF13N06L - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQPF13N06L
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF13N06L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 10A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQPF13N06L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 67480

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Anzahl

Spezifikation

FQPF13N06L Tech -Spezifikationen
onsemi - FQPF13N06L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQPF13N06L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 5A, 10V  
Verlustleistung (max) 24W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  
Grundproduktnummer FQPF13  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQPF13N06L.

Produkteigenschaften FQPF13N06L FQPF12P10 FQPF13N10 FQPF13N50
Artikelnummer FQPF13N06L FQPF12P10 FQPF13N10 FQPF13N50
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V 2300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 5 V 27 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 5A, 10V 290mOhm @ 4.1A, 10V 180mOhm @ 4.35A, 10V 430mOhm @ 6.25A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 8.2A (Tc) 8.7A (Tc) 12.5A (Tc)
Grundproduktnummer FQPF13 FQPF1 FQPF1 -
Verlustleistung (max) 24W (Tc) 38W (Tc) 30W (Tc) 56W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 100 V 100 V 500 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±25V ±30V
Paket Tube Tube Tube Tube

FQPF13N06L Datenblatt PDF

Laden Sie FQPF13N06L PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQPF13N06L - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Site Add 14/Oct/2020.pdf
Datenblätter
FQPF13N06L.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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