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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF33N10
FQPF33N10 Image
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FQPF33N10 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQPF33N10
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF33N10
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 18A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQPF33N10.pdf
RoHS Status
vorrätig: 37076

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Anzahl

Spezifikation

FQPF33N10 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQPF33N10 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQPF33N10

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 9A, 10V  
Verlustleistung (max) 41W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc)  
Grundproduktnummer FQPF3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQPF33N10.

Produkteigenschaften FQPF33N10 FQPF30N06 FQPF34N20 FQPF30N06
Artikelnummer FQPF33N10 FQPF30N06 FQPF34N20 FQPF30N06
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Paket Tube Tube Tube Tube
Verlustleistung (max) 41W (Tc) 39W (Tc) 55W (Tc) 39W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 60 V 200 V 60 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 9A, 10V 40mOhm @ 10.5A, 10V 75mOhm @ 8.75A, 10V 40mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (Max) ±25V ±25V ±30V ±25V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer FQPF3 FQPF3 - -
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc) 21A (Tc) 17.5A (Tc) 21A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 25 V 945 pF @ 25 V 3100 pF @ 25 V 945 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

FQPF33N10 Datenblatt PDF

Laden Sie FQPF33N10 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQPF33N10 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-FQPF33N10

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