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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF4N90
FQPF4N90 Image
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FQPF4N90 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQPF4N90
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF4N90
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQPF4N90.pdf
vorrätig: 4370

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Anzahl

Spezifikation

FQPF4N90 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQPF4N90 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQPF4N90

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3Ohm @ 1.25A, 10V  
Verlustleistung (max) 47W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Tc)  
Grundproduktnummer FQPF4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQPF4N90.

Produkteigenschaften FQPF4N90 FQPF4N90C FQPF4N80 FQPF4N90CT
Artikelnummer FQPF4N90 FQPF4N90C FQPF4N80 FQPF4N90CT
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3Ohm @ 1.25A, 10V 4.2Ohm @ 2A, 10V 3.6Ohm @ 1.1A, 10V 4.2Ohm @ 2A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V 960 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V 960 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V 900 V 800 V 900 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Tc) 4A (Tc) 2.2A (Tc) 4A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Verlustleistung (max) 47W (Tc) 47W (Tc) 43W (Tc) 47W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Grundproduktnummer FQPF4 FQPF4 FQPF4 FQPF4
Paket Tube Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V

FQPF4N90 Datenblatt PDF

Laden Sie FQPF4N90 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQPF4N90 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQPF4N90.pdf

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Lieferzeit

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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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