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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF5N40
FQPF5N40 Image
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FQPF5N40 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQPF5N40
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF5N40
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 3A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQPF5N40.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4490

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Anzahl

Spezifikation

FQPF5N40 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQPF5N40 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQPF5N40

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 1.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 35W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc)  
Grundproduktnummer FQPF5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQPF5N40.

Produkteigenschaften FQPF5N40 FQPF5N30 FQPF5N20L FQPF50N06L
Artikelnummer FQPF5N40 FQPF5N30 FQPF5N20L FQPF50N06L
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc) 3.9A (Tc) 3.5A (Tc) 32.6A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 6.2 nC @ 5 V 32 nC @ 5 V
Grundproduktnummer FQPF5 - FQPF5 FQPF5
Verlustleistung (max) 35W (Tc) 35W (Tc) 32W (Tc) 47W (Tc)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 2V @ 250µA 5V @ 250µA
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V 300 V 200 V 60 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 25 V 430 pF @ 25 V 325 pF @ 25 V 1630 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 5V, 10V 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 1.5A, 10V 900mOhm @ 1.95A, 10V 1.2Ohm @ 1.75A, 10V 21mOhm @ 16.3A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

FQPF5N40 Datenblatt PDF

Laden Sie FQPF5N40 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQPF5N40 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
Datenblätter
FQPF5N40.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
QFET FAB 02-Mar-2022.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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