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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF5N90
FQPF5N90 Image
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FQPF5N90 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQPF5N90
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF5N90
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 3A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQPF5N90.pdf
RoHS Status
vorrätig: 29091

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Anzahl

Spezifikation

FQPF5N90 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQPF5N90 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQPF5N90

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3Ohm @ 1.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 51W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1550 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc)  
Grundproduktnummer FQPF5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQPF5N90.

Produkteigenschaften FQPF5N90 FQPF5N80 FQPF5N60 FQPF65N06
Artikelnummer FQPF5N90 FQPF5N80 FQPF5N60 FQPF65N06
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V 800 V 600 V 60 V
Grundproduktnummer FQPF5 FQPF5 - FQPF65
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc) 2.8A (Tc) 2.8A (Tc) 40A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 51W (Tc) 47W (Tc) 40W (Tc) 56W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1550 pF @ 25 V 1250 pF @ 25 V 730 pF @ 25 V 2410 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±25V
FET-Merkmal - - - -
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3Ohm @ 1.5A, 10V 2.6Ohm @ 1.4A, 10V 2Ohm @ 1.4A, 10V 16mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Paket Tube Tube Tube Tube

FQPF5N90 Datenblatt PDF

Laden Sie FQPF5N90 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQPF5N90 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
Datenblätter
FQPF5N90.pdf

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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