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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQT13N06TF
FQT13N06TF Image
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FQT13N06TF - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQT13N06TF
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQT13N06TF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
FQT13N06.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5480

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Anzahl

Spezifikation

FQT13N06TF Tech -Spezifikationen
onsemi - FQT13N06TF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQT13N06TF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-4  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.1W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.8A (Tc)  
Grundproduktnummer FQT13N06  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQT13N06TF.

Produkteigenschaften FQT13N06TF FQT2P25TF FQT13N06LTF FQT1N60CTF-WS
Artikelnummer FQT13N06TF FQT2P25TF FQT13N06LTF FQT1N60CTF-WS
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 2.1W (Tc) 2.5W (Tc) 2.1W (Tc) 2.1W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Grundproduktnummer FQT13N06 FQT2P25 FQT13N06 FQT1N60
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±25V ±30V ±20V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.4A, 10V 4Ohm @ 275mA, 10V 110mOhm @ 1.4A, 10V 11.5Ohm @ 100mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 250 V 60 V 600 V
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V 8.5 nC @ 10 V 6.4 nC @ 5 V 6.2 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 5V, 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.8A (Tc) 550mA (Tc) 2.8A (Tc) 200mA (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V

FQT13N06TF Datenblatt PDF

Laden Sie FQT13N06TF PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQT13N06TF - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Parts obs 30/Jun/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Site Add 14/Oct/2020.pdf
Datenblätter
FQT13N06.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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