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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelFSB660A
FSB660A Image
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FSB660A - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FSB660A
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FSB660A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
FSB660.pdf
RoHS Status
vorrätig: 186870

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Anzahl

Spezifikation

FSB660A Tech -Spezifikationen
onsemi - FSB660A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FSB660A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 200mA, 2A  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie -  
Leistung - max 500 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 75MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 250 @ 500mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A  
Grundproduktnummer FSB660  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FSB660A.

Produkteigenschaften FSB660A FSB619 FSB649 FSB660
Artikelnummer FSB660A FSB619 FSB649 FSB660
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 200mA, 2A 320mV @ 50mA, 2A 600mV @ 300mA, 3A 350mV @ 200mA, 2A
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Transistor-Typ PNP NPN NPN PNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V 50 V 25 V 60 V
Grundproduktnummer FSB660 FSB619 FSB649 -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A 2 A 3 A 2 A
Leistung - max 500 mW 500 mW 500 mW 500 mW
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequenz - Übergang 75MHz 100MHz 150MHz 75MHz
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Serie - - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 250 @ 500mA, 2V 200 @ 1A, 2V 100 @ 1A, 2V 100 @ 500mA, 2V

FSB660A Datenblatt PDF

Laden Sie FSB660A PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FSB660A - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Marking Change 07/Oct/2022.pdf Marking Change 17/Nov/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 15/Feb/2023.pdf
Datenblätter
FSB660.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
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