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ZuhauseProdukteIsolatorenOptoisolatoren-Transistor, Photovoltaik-AusgangH11AA1TVM
H11AA1TVM Image
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H11AA1TVM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
H11AA1TVM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-H11AA1TVM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-DIP (0.400", 10.16mm)
Datenblatt
H11AAxM Series.pdf
RoHS Status
vorrätig: 103610

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Anzahl

Spezifikation

H11AA1TVM Tech -Spezifikationen
onsemi - H11AA1TVM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - H11AA1TVM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Ausgabe (max) 30V  
Spannung - Isolation 4170Vrms  
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.17V  
VCE Sätttigung (max) 400mV  
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) -  
Supplier Device-Gehäuse 6-DIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) -  
Verpackung / Gehäuse 6-DIP (0.400", 10.16mm)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Ausgabetyp Transistor with Base  
Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C  
Anzahl der Kanäle 1  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp AC, DC  
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 20% @ 10mA  
Stromübertragungsverhältnis (max) -  
Strom - Ausgang / Kanal 50mA  
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA  
Grundproduktnummer H11AA  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi H11AA1TVM.

Produkteigenschaften H11AA1TVM H11AA1VM H11AA2 H11AA2M
Artikelnummer H11AA1TVM H11AA1VM H11AA2 H11AA2M
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
VCE Sätttigung (max) 400mV 400mV 400mV 400mV
Strom - Ausgang / Kanal 50mA 50mA - -
Supplier Device-Gehäuse 6-DIP 6-DIP 6-DIP 6-DIP
Anzahl der Kanäle 1 1 1 1
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - - - 10µs, 10µs (Max)
Grundproduktnummer H11AA - H11A -
Stromübertragungsverhältnis (max) - - - -
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 20% @ 10mA 20% @ 10mA 10% @ 10mA 10% @ 10mA
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA 60 mA 100 mA 60 mA
Serie - - - -
Spannung - Ausgabe (max) 30V 30V 30V 80V
Ausgabetyp Transistor with Base Transistor with Base Transistor with Base Transistor with Base
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C -55°C ~ 100°C -55°C ~ 100°C
Eingabetyp AC, DC AC, DC AC, DC AC, DC
Verpackung / Gehäuse 6-DIP (0.400", 10.16mm) 6-DIP (0.300", 7.62mm) 6-DIP (0.300", 7.62mm) 6-DIP (0.400", 10.16mm)
Paket Tube Bulk Tube Bulk
Aufstieg / Fallzeit (Typ) - - - 10µs, 10µs (Max)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.17V 1.17V 1.2V 1.2V
Spannung - Isolation 4170Vrms 4170Vrms 5300Vrms 5000Vrms

H11AA1TVM Datenblatt PDF

Laden Sie H11AA1TVM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für H11AA1TVM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf Material Declaration H11AA1TVM.pdf
Datenblätter
H11AAxM Series.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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