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ZuhauseProdukteIsolatorenOptoisolatoren-Transistor, Photovoltaik-AusgangH11AV2SVM
H11AV2SVM Image
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H11AV2SVM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
H11AV2SVM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-H11AV2SVM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-SMD, Gull Wing
Datenblatt
H11AV1A/AM, H11AV2M/AM.pdf
vorrätig: 4750

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Spezifikation

H11AV2SVM Tech -Spezifikationen
onsemi - H11AV2SVM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - H11AV2SVM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Ausgabe (max) 70V  
Spannung - Isolation 7500Vpk  
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.18V  
VCE Sätttigung (max) 400mV  
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 15µs, 15µs  
Supplier Device-Gehäuse 6-SMD  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) -  
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Gull Wing  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Ausgabetyp Transistor with Base  
Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C  
Anzahl der Kanäle 1  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabetyp DC  
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 50% @ 10mA  
Stromübertragungsverhältnis (max) -  
Strom - Ausgang / Kanal -  
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA  
Grundproduktnummer H11A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi H11AV2SVM.

Produkteigenschaften H11AV2SVM H11B1M H11AV2SR2M H11AV1VM
Artikelnummer H11AV2SVM H11B1M H11AV2SR2M H11AV1VM
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Strom - Ausgang / Kanal - 150mA - -
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 15µs, 15µs 25µs, 18µs 15µs, 15µs 15µs, 15µs (Max)
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Gull Wing 6-DIP (0.300', 7.62mm) 6-SMD, Gull Wing 6-DIP (0.300', 7.62mm)
VCE Sätttigung (max) 400mV 1V 400mV 400mV
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Spannung - Ausgabe (max) 70V 30V 70V 70V
Aufstieg / Fallzeit (Typ) - - - -
Eingabetyp DC DC DC DC
Stromübertragungsverhältnis (max) - - - 300% @ 10mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.18V 1.2V 1.18V 1.18V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Grundproduktnummer H11A H11B1 H11A H11AV
Supplier Device-Gehäuse 6-SMD 6-DIP 6-SMD 6-DIP
Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 50% @ 10mA 500% @ 1mA 50% @ 10mA 100% @ 10mA
Anzahl der Kanäle 1 1 1 1
Spannung - Isolation 7500Vpk 4170Vrms 7500Vpk 4170Vrms
Serie - - - -
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA 80 mA 60 mA 60 mA
Ausgabetyp Transistor with Base Darlington with Base Transistor with Base Transistor with Base

H11AV2SVM Datenblatt PDF

Laden Sie H11AV2SVM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für H11AV2SVM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
H11AV1A/AM, H11AV2M/AM.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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