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ZuhauseProdukteIsolatorenOptoisolatoren-Transistor, Photovoltaik-AusgangH11F1VM
H11F1VM Image
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H11F1VM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
H11F1VM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-H11F1VM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-DIP (0.300", 7.62mm)
Datenblatt
H11F1M-3M.pdf
H11F1M-3M.pdf
RoHS Status
vorrätig: 14229

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Anzahl

Spezifikation

H11F1VM Tech -Spezifikationen
onsemi - H11F1VM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - H11F1VM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Ausgabe (max) 30V  
Spannung - Isolation 7500Vpk  
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.3V  
VCE Sätttigung (max) -  
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 45µs, 45µs (Max)  
Supplier Device-Gehäuse 6-DIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) -  
Verpackung / Gehäuse 6-DIP (0.300", 7.62mm)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Ausgabetyp MOSFET  
Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C  
Anzahl der Kanäle 1  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp DC  
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) -  
Stromübertragungsverhältnis (max) -  
Strom - Ausgang / Kanal -  
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA  
Grundproduktnummer H11F1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi H11F1VM.

Produkteigenschaften H11F1VM H11F3SD H11F1SR2M H11D4SD
Artikelnummer H11F1VM H11F3SD H11F1SR2M H11D4SD
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Grundproduktnummer H11F1 H11F H11F1 H11D
Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C -55°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C -55°C ~ 100°C
Spannung - Ausgabe (max) 30V 15V 30V 200V
Verpackung / Gehäuse 6-DIP (0.300", 7.62mm) 6-SMD, Gull Wing 6-SMD, Gull Wing 6-SMD, Gull Wing
Serie - - - -
Spannung - Isolation 7500Vpk 5300Vrms 7500Vpk 5300Vrms
VCE Sätttigung (max) - - - 400mV
Anzahl der Kanäle 1 1 1 1
Stromübertragungsverhältnis (max) - - - -
Supplier Device-Gehäuse 6-DIP 6-SMD 6-SMD 6-SMD
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.3V 1.3V 1.3V 1.15V
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 45µs, 45µs (Max) 25µs, 25µs (Max) 45µs, 45µs (Max) 5µs, 5µs
Eingabetyp DC DC DC DC
Ausgabetyp MOSFET MOSFET MOSFET Transistor with Base
Strom - Ausgang / Kanal - - - 100mA
Aufstieg / Fallzeit (Typ) - - - -
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) - - - 10% @ 10mA
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA 60 mA 60 mA 80 mA

H11F1VM Datenblatt PDF

Laden Sie H11F1VM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für H11F1VM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf Material Declaration H11F1VM.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Alternate LED manufacturing site/LED die source 15.pdf
Datenblätter
H11F1M-3M.pdf
HTML -Datenblatt
H11F1M-3M.pdf

Lieferung

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Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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