Spezifikation
HGTG40N60B3 Tech -Spezifikationen
onsemi - HGTG40N60B3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HGTG40N60B3
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
onsemi |
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| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) |
600 V |
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| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic |
2V @ 15V, 40A |
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| Testbedingung |
480V, 40A, 3Ohm, 15V |
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| Td (ein / aus) bei 25 ° C |
47ns/170ns |
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| Schaltenergie |
1.05mJ (on), 800µJ (off) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
TO-247-3 |
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| Serie |
- |
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| Leistung - max |
290 W |
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| Verpackung / Gehäuse |
TO-247-3 |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Paket |
Tube |
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| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Through Hole |
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| Eingabetyp |
Standard |
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| IGBT-Typ |
- |
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| Gate-Ladung |
250 nC |
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| Strom - Collector Pulsed (Icm) |
330 A |
|
| Strom - Kollektor (Ic) (max) |
70 A |
|
| Grundproduktnummer |
HGTG40 |
|
Lieferung
Lieferzeit
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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)
Versandart
- Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.
HGTG40N60A4Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
HGTG7N60A4DonsemiIGBT 600V 34A 125W TO247