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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF75344A3
HUF75344A3 Image
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HUF75344A3 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
HUF75344A3
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-HUF75344A3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 75A TO3P
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
HUF75344A3.pdf
vorrätig: 4570

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Spezifikation

HUF75344A3 Tech -Spezifikationen
onsemi - HUF75344A3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HUF75344A3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3P  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 288.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4855 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 208 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  
Grundproduktnummer HUF75  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi HUF75344A3.

Produkteigenschaften HUF75344A3 HUF75343S3ST HUF75344A3 HUF75343S3
Artikelnummer HUF75344A3 HUF75343S3ST HUF75344A3 HUF75343S3
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 75A, 10V 9mOhm @ 75A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V 9mOhm @ 75A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 208 nC @ 20 V 205 nC @ 20 V 208 nC @ 20 V 205 nC @ 20 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-3P D²PAK (TO-263) TO-3P I2PAK (TO-262)
Grundproduktnummer HUF75 HUF75 - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-3P-3, SC-65-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Verlustleistung (max) 288.5W (Tc) 270W (Tc) 288.5W (Tc) 270W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4855 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V 4855 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V

HUF75344A3 Datenblatt PDF

Laden Sie HUF75344A3 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für HUF75344A3 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
HUF75344A3.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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