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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF75842P3
HUF75842P3 Image
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HUF75842P3 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
HUF75842P3
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-HUF75842P3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
HUF75842P3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 13248

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Anzahl

Spezifikation

HUF75842P3 Tech -Spezifikationen
onsemi - HUF75842P3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HUF75842P3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 43A, 10V  
Verlustleistung (max) 230W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2730 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 175 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 43A (Tc)  
Grundproduktnummer HUF75842  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi HUF75842P3.

Produkteigenschaften HUF75842P3 HUF75645S3ST HUF75829D3 HUF75852G3
Artikelnummer HUF75842P3 HUF75645S3ST HUF75829D3 HUF75852G3
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 230W (Tc) 310W (Tc) 110W (Tc) 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 43A, 10V 14mOhm @ 75A, 10V 110mOhm @ 18A, 10V 16mOhm @ 75A, 10V
Grundproduktnummer HUF75842 HUF75645 - -
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 D²PAK (TO-263) I-PAK TO-247
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 175 nC @ 20 V 238 nC @ 20 V 70 nC @ 20 V 480 nC @ 20 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2730 pF @ 25 V 3790 pF @ 25 V 1080 pF @ 25 V 7690 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-247-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 100 V 150 V 150 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 43A (Tc) 75A (Tc) 18A (Tc) 75A (Tc)
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

HUF75842P3 Datenblatt PDF

Laden Sie HUF75842P3 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für HUF75842P3 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf HUF75842P3.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 14/Dec/2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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