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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF76013P3
HUF76013P3 Image
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HUF76013P3 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
HUF76013P3
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-HUF76013P3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 20A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
HUF76013P3/D3S.pdf
vorrätig: 4080

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Spezifikation

HUF76013P3 Tech -Spezifikationen
onsemi - HUF76013P3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HUF76013P3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 624 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer HUF76  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi HUF76013P3.

Produkteigenschaften HUF76013P3 HUF76107D3ST HUF76013P3 HUF76013D3S
Artikelnummer HUF76013P3 HUF76107D3ST HUF76013P3 HUF76013D3S
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 624 pF @ 20 V 315 pF @ 25 V 624 pF @ 20 V 624 pF @ 20 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 20 V 20 V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-252, (D-Pak) TO-220-3 TO-252AA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 4.5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Verlustleistung (max) 50W (Tc) 35W (Tc) 50W (Tc) 50W (Tc)
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Paket Tube Bulk Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 20A, 10V 52mOhm @ 20A, 10V 22mOhm @ 20A, 10V 22mOhm @ 20A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc)
Grundproduktnummer HUF76 - - HUF76
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 10.3 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V

HUF76013P3 Datenblatt PDF

Laden Sie HUF76013P3 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für HUF76013P3 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf HUF76013P3/D3S.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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